飞行时间模式极化中子反射谱仪

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　  【中子反射谱仪结构图】

　　1-第二闸门；2-锥形导管；3-监视器；4-四盘斩波器；5-狭缝；6-极化器；7-自旋倒相器；8-样品前狭缝；9-样品台系统；10-样品后狭缝；11-自旋倒相器；12-极化分析器；13-二维探测器（PSD）；14-束流捕集器。

　　【物理性能指标】

　　谱仪类型:TOF（飞行时间）+P（极化系统）+H（水平散射几何）

　　样品位置磁场:0～1.2T

　　波长λ

　　范围:0.25～1.25nm

　　分辨:0.003nm

　　散射矢量Q

　　范围:0.05～3.0nm^-1

　　分辨率:0.5%～5%

　　最低可测反射率:1×10^-7

　　探测器:二维PSD,分辨单元2×2mm²

　　【主要用途介绍及应用范例】

　　中子反射谱仪（NR）主要用于量测样品的反射率，通过反射率可以得知样品膜的密度、厚度以及样品的表面和界面的粗糙度。可用于：

　　表面微观结构信息表征，如表面粗糙度、磁薄膜的表面磁性和各向异性。

　　多层结构及界面研究，如高聚合物界面。

　　磁性和非磁性交替的超点阵材料等。

　　界面渗透和相容性问题、界面状况研究。

　　可做镜反射和非镜反射实验测量。

　　TPNR作为研究薄膜样品材料表面或界面微观结构的重要实验工具，具有其独特的优点：

　　（1）对于中子镜反射，获得垂直于表面的SLD空间分辨可达到0.5nm。

　　（2）极化模式，可以实验获得磁性薄膜材料剖面的磁化强度矢量的深度分布。

　　（3）具有深穿透性，可以研究封闭容器中特定环境下的样品材料。

　　（4）作为中子与材料弱相互作用的结果，使得理论精确描述反射过程同时定量分析数据成为可能。

　　（5）非镜中子反射技术可以用来获取束斑中样品表面的非均匀度、原子或磁相关矢量长度、磁畴结构和磁粗糙度等。